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目录1

常用符号表1

第1章 概述1

1 半导体材料的种类及其应用范围1

2 半导体材料的导电特性1

3 半导体材料的晶体结构4

第2章 硅、锗单晶5

1 硅、锗单晶的基本参数和要求5

1.1 导电类型5

1.2 电阻率和电阻率不均匀度5

1.3 非平衡少数载流子寿命6

2 硅、锗单晶中的杂质及其对单晶和器件性能的影响7

1.7 迁移率7

1.6 杂质补偿度7

1.5 位错密度7

1.4 晶向和晶向偏离度7

2.1 硅、锗单晶中主要杂质的物理、化学性质及其影响8

2.2 硅、锗单晶中杂质的能级9

2.3 硅、锗单晶电阻率和杂质浓度的关系10

2.4 硅、锗单晶中杂质的扩散系数与温度的关系11

2.5 硅、锗单晶中杂质的固溶度与温度的关系13

3 硅、锗单晶中的晶体缺陷及其影响13

4 硅、锗器件工艺中常用的相图14

5 单晶片的加工15

第3章 化合物半导体和固溶体半导体15

1 砷化镓18

1.2 砷化镓单晶中的杂质19

1.1 砷化镓的特性及其应用19

1.3 镓-砷系统的基本相图和砷化镓单晶种类20

2 其他Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体21

2.1 磷化镓和磷化铟21

2.2 锑化铟和砷化铟22

3 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体22

3.1 硫化锌等锌的硫族化合物22

3.2 硫化镉等镉的硫族化合物23

4 Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体及碳化硅23

4.1 硫化铅等铅的硫族化合物23

4.2 碳化硅23

5 几种固溶体半导体23

5.1 镓砷磷和镓铝砷23

1 导电类型的测定24

2 电阻率的测量24

5.2 碲镉汞和碲锡铅24

第4章 单晶参数的测量和单晶中微量杂质分析24

5.3 碲锑铋和碲硒铋24

3 非平衡少数载流子寿命的测量28

4 杂质补偿度等物理量的测量29

4.1 霍尔系数及有关物理量的测量29

4.2 杂质补偿度的测量29

5 晶体缺陷的观测31

6 晶向的测定31

7 单晶中微量杂质分析31

参考文献32